情報確認日
株式会社デンソー SiC/GaNパワー半導体のデバイスおよびプロセス研究開発
| 年収 | 550万円~1100万円 |
|---|---|
| 勤務地 | 愛知県豊田市西広瀬町桐ケ洞543,愛知県日進市米野木町南山500番地1 関連会社に出向予定となります。 在宅勤務:週1~2回程度 |
| 職務内容 | 同社にて、SiC、GaNパワー半導体(SiC-MOSFET、縦型GaN-MOSFET、横型GaN-HEMT)のデバイスおよびプロセスに関する研究開発、ならびにSiCエピおよびGaNウェハ技術の研究開発をご担当いただきます。 【具体的には】 … |
| お問い合わせ番号 | 471838 |


